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2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介
激子絕緣體是表現出相關電子相的新型材料系統。當激子結合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態。半導體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發帶雜化打開帶隙并驅動系統進入絕緣狀態
分子式： Ta2NiS5
Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導體 (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子絕緣體行為，如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體是表現出相關電子相的新型材料系統。當激子結合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態。半導體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發帶雜化打開帶隙并驅動系統進入絕緣狀態
Ta2NiS5 晶體的性質
Ta2NiS5晶體的原子結構
Ta2NiS5 晶體的拉曼光譜
